Ano:2018Banca:Centro Brasileiro de Pesquisa em Avaliação e Seleção (CEBRASPE/CESPE)Órgão:Agência Brasileira de InteligênciaProva:CEBRASPE - 2018 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência - Área 6 – Engenharia Eletrônica/Elétrica
Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.