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Carreira Pública

Q118648 – Área 1 (Engenharia) – Centro Brasileiro de Pesquisa em Avaliação e Seleção (CEBRASPE/CESPE) 2009

1Q118648

Área 1 (Engenharia)

O efeito da modulação do comprimento do canal em transistores MOSFET, que ocorre para valores relativamente altos da tensão de dreno, faz que a resistência incremental de saída do MOSFET, observada entre seus terminais de dreno e fonte, seja finita, ao contrário da idealização infinita. Em geral, quanto maior o comprimento do canal, mais pronunciado é o efeito de corpo.

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